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单端口在片校准件模型确定的方法及终端设备

关 键  词:
端口 校准 模型 确定 方法 终端设备
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1、单端口的另一端; 所述短路校准件模型包括短路校准件电感、 表征短路校准件串扰的电阻和表征短路校 准件表征开路校准件串扰的电阻的另一端和所 述表征开路校准件串扰的电容的另一端, 以构成所述开路校准件模型准件串扰的电容的一端, 以构成开路校准件模型单端口的一 端, 所述开路校准件电容的另一端分别连接所述电容; 其中, 所述开路校准件电容的一端分别连接所述表征开路校准件串扰的 电阻的一端和所述表征开路校另一 端; 所述开路校准件模型包括开路校准件电容、 表征开路校准件串扰的电阻和表征开路校 准件串扰的校准件串扰的电阻的另一 端和所述表征负载校准件串扰的电容的另一端, 以构成所述负载校准件模型单端口的。

2、电感的另一端连接所述负载校准件直流电阻的 一端, 所述负载校准件直流电阻的另一端分别连接所述表征负载阻的一端和所述表征负载校准件串扰的电容的一端, 以构成负载 校准件模型单端口的一端, 所述负载校准件阻和表征负载校准件串扰的电容; 其中, 所述负载校准件电感的一端分别连接所述 表征负载校准件串扰的电校准件模型; 所述负载校准件模型包括负载校准件电感、 负载校准件直流电阻、 表征负载校准件串 扰的电确定的方法, 其特征在于, 所述不同在片 校准件模型包括: 负载校准件模型、 开路校准件模型以及短路, 计算不同在片校准件模型中表征不 同校准件串扰的参数。 2.如权利要求1所述的单端口在片校准件模型。

3、在片校准件模型, 确定不同在片校准件模型对应的导纳公式; 根据所述不同校准件的导纳以及对应的导纳公式到不 同校准件的S参数; 根据所述不同校准件的S参数, 计算不同校准件的导纳; 根据不同校准件对应的片校准件串扰的元件; 基于太赫兹频段, 采用多线TRL校准方法对在片S参数测试系统进行校准, 测量得在片校准件模型, 其中, 所述不同在片校准件模型为在原 校准件模型中端面的两端分别并联两个表征不同在793 A 1.一种单端口在片校准件模型确定的方法, 其特征在于, 包括: 确定基于太赫兹频段的不同3页 说明书13页 附图3页 CN 112098793 A 2020.12.18 CN 112098。

4、提高太 赫兹频段在片S参数测试准确度; 另外给出了不 同在片校准件模型中参数的计算方法。 权利要求书实施例提供的不同在 片校准件模型解决了在太赫兹频段标准件电路 模型不完善带来的校准及测量误差, 可以根据不同校准件的导纳以及对 应的导纳公式, 计算不同在片校准件模型中表征 不同校准件串扰的参数。 本同校准件的导纳; 根据不同校准件对 应的在片校准件模型, 确定不同在片校准件模型 对应的导纳公式; 太赫兹频段的不同在片校准件模型; 测量 得到不同校准件的S参数; 根据不同校准件的S参 数, 计算不测量技术领域, 提供了一种单端口在片校准件模 型确定的方法及终端设备, 该方法包括: 通过确 定基于称 单端口在片校准件模型确定的方法及终端 设备 (57)摘要 本发明适用于晶原级半导体器件微波特性 20 代理人 秦敏华 (51)Int.Cl. G01R 31/26(2014.01) (54)发明名 王一帮吴爱华梁法国刘晨 霍晔栾鹏孙静李彦丽 (74)专利代理机构 石家庄国为知识产权事务所 131中国电子科技集团公司第十三研究 所 地址 050051 河北省石家庄市合作路113号 (72)发明人(21)申请号 202010820386.6 (22)申请日 2020.08.14 (71)申请人 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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