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宽禁带半导体功率器件参数测试平台及方法

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1、驱动电压下降10至漏极电压上升90的时间间隔为关断时 间; 3)寄生体二极管反向恢复电流和反向恢到漏极电压下降90的时间间隔为开通时间; 在短脉冲的下降沿处, 测试待测器 件T2驱动电压和漏极电压: 操作方式如1); 在短脉冲上升沿处, 测试待测器件T2的驱动电压和漏极电压, 驱动电压 上升10压和漏极电压, 驱动电压下降10至漏极电压上升10的时间间隔 为关断延时; 2)开通、 关断时间测试压上升10到漏极电压下降10的时间间隔为开通延时; 在短脉冲的下降沿处, 测 试待测器件T2的驱动电锁待测器件T3、 T4驱动脉冲; 在短脉冲上升沿处, 测试待测器件T2的驱动电压和漏极电压, 驱动电测试。

2、: 连接第一节点、 第二节点, 待测器件T1不施加驱动, 待测器件T2施加一长一短两个脉冲, 封 特征在于, 包括单独测试方法和组合测试方法; 所述单独测试方法包括如下步骤: 1)开通、 关断延时2、 T4并联。 3.一种宽禁带半导体功率器件参数测试方法, 使用权利要求1或2所述的测试平台, 其率器件参数测试平台, 其特征在于: 所述测试平 台还包括两个箝位电路, 两个箝位电路分别与待测器件T; 待测器件T1、 T2、 T3、 T4的栅极与驱动模块连接。 2.如权利要求1所述的宽禁带半导体功件T1的源极、 待测器件T2的漏极连接, 另一端与第二节点连接; 待测器件T1的漏 极与第一节点连接的漏。

3、极连接; 第三节点分别与待测器件T3的源极、 待测器件T4的漏极连接; 电感的一端分 别与待测器器 件T2的源极、 待测器件T4的源极连接; 另一个电容的另一端分别与负载的另一端、 待测器件 T3极和第一节点 连接, 电容的另一端分别与直流供电模块的负极、 另一个电容的一端、 负载的一端、 待测: 直流供电模块、 两个 电容、 负载、 电感和驱动模块; 其中一个电容的一端分别与直流供电模块的正.29 CN 112147478 A 1.一种宽禁带半导体功率器件参数测试平台, 其特征在于, 包括全部参数测 试。 权利要求书3页 说明书8页 附图4页 CN 112147478 A 2020.12上的。

4、工作模式, 基本 涵盖了实际常用的工作条件, 所测特性参数基本 满足需求, 只需两次实验即可完成一端分别与待测器件T1 的源极、 待测器件T2的漏极连接, 另一端与第二 节点连接; 待测器件在平台 待测器件T3的漏极连 接; 第三节点分别与待测器件T3的源极、 待测器 件T4的漏极连接; 电感的的一端、 待测器件T2的 源极、 待测器件T4的源极连接; 另一个电容的另 一端分别与负载的另一端、流供电模块的正极和第一节点连 接, 电容的另一端分别与直流供电模块的负极、 另一个电容的一端、 负载, 平台包括: 直流供电模块、 两 个电容、 负载、 电感和驱动模块; 其中一个电容的 一端分别与直体功率器件参数测试平台 及方法 (57)摘要 本发明涉及一种宽禁带半导体功率器件参 数测试平台及方法玲 (51)Int.Cl. G01R 31/26(2014.01) (54)发明名称 一种宽禁带半导子钧 (74)专利代理机构 北京卫平智业专利代理事务 所(普通合伙) 11392 代理人 张新利谢建北京交通大学 地址 100044 北京市海淀区西直门外上园 村3号 (72)发明人 李艳赵方玮魏超殷(21)申请号 202010790309.0 (22)申请日 2020.08.07 (71)申请人 (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日。

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