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半导体装置

( 1 0 ) 授 权 公 告 号 C N 1 0 1 0 6 0 1 2 2 B ( 4 5 ) 授 权 公 告 日 2 0 1 2 . 0 5 . 3 0 C N 1 0 1 0 6 0 1 2 2 B *CN101060122B* ( 2 1 ) 申 请 号 2 0 0 7 1 0 0 9 6 1 6 4 . 9 ( 2 2 ) 申 请 日 2 0 0 7 . 0 4 . 1 8 1 1 4 6 1 4 / 0 6 2 0 0 6 . 0 4 . 1 8 J P H 0 1 L 2 7 / 0 6 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) ( 7 3 ) 专 利 权 人 三 洋 电 机 株 式 会 社 地 址 日 本 大 阪 府 ( 7 2 ) 发 明 人 广 岛 崇 五 嶋 一 智 ( 7 4 ) 专 利 代 理 机 构 北 京 市 柳 沈 律 师 事 务 所 1 1 1 0 5 代 理 人 陶 凤 波 ( 5 4 ) 发 明 名 称 半 导 体 装 置 ( 5 7 ) 摘 要 本 发 明 提 供 一 种 具 有 二 极 管 元 件 的 半 导 体 装 置 ， 其 目 的 在 于 防 止 由 纵 向 型 寄 生 双 极 晶 体 管 引 起 的 漏 电 流 并 提 高 电 流 效 率 。 该 半 导 体 装 置 在 N 阱 层 ( 2 ) 上 设 置 元 件 分 离 绝 缘 膜 ( 3 a ) ， 在 由 元 件 分 离 绝 缘 膜 ( 3 a ) 包 围 的 N 阱 层 ( 2 ) 上 形 成 第 一 P + 层 ( 4 ) 和 与 第 一 P + 层 ( 4 ) 分 离 开 的 第 二 P + 层 ( 5 ) 。 在 第 一 P + 层 ( 4 ) 和 第 二 P + 层 ( 5 ) 之 间 的 N 阱 层 ( 2 ) 上 形 成 电 极 层 ( 1 0 ) 。 在 元 件 分 离 绝 缘 膜 ( 3 a ) 、 ( 3 b ) 之 间 的 N 阱 层 ( 2 ) 上 形 成 接 触 用 的 N + 层 ( 3 ) 。 第 一 P + 层 ( 4 ) 与 阳 极 配 线 ( 8 ) 连 接 ， 电 极 层 ( 1 0 ) 、 第 二 P + 层 ( 5 ) 及 N + 层 ( 1 3 ) 与 阴 极 配 线 ( 1 2 ) 连 接 。 这 样 ， 在 半 导 体 基 板 ( 1 ) 上 形 成 利 用 横 向 型 P N P 双 极 晶 体 管 ( 6 0 ) 的 二 极 管 元 件 。 ( 3 0 ) 优 先 权 数 据 ( 5 1 ) I n t . C l . 审 查 员 陈 龙 权 利 要 求 书 1 页 说 明 书 6 页 附 图 7 页 ( 1 9 ) 中 华 人 民 共 和 国 国 家 知 识 产 权 局 ( 1 2 ) 发 明 专 利 权利要求书 1 页 说明书 6 页 附图 7 页
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