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半导体光电器件

( 1 0 ) 授 权 公 告 号 C N 1 0 1 1 6 5 9 7 9 B ( 4 5 ) 授 权 公 告 日 2 0 1 0 . 1 2 . 0 1 C N 1 0 1 1 6 5 9 7 9 B *CN101165979B* ( 2 1 ) 申 请 号 2 0 0 7 1 0 0 9 6 1 7 1 . 9 ( 2 2 ) 申 请 日 2 0 0 7 . 0 4 . 1 8 1 0 1 5 7 9 / 0 6 2 0 0 6 . 1 0 . 1 8 K R H 0 1 S 5 / 0 0 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) H 0 1 S 5 / 2 0 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) H 0 1 S 5 / 3 4 3 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) ( 7 3 ) 专 利 权 人 三 星 L E D 株 式 会 社 地 址 韩 国 京 畿 道 ( 7 2 ) 发 明 人 孙 重 坤 柳 汉 烈 司 空 坦 白 好 善 李 成 男 ( 7 4 ) 专 利 代 理 机 构 北 京 市 柳 沈 律 师 事 务 所 1 1 1 0 5 代 理 人 陶 凤 波 C N 1 4 5 9 9 0 0 A , 2 0 0 3 . 1 2 . 0 3 , 全 文 . U S 6 7 4 4 0 6 4 B 2 , 2 0 0 4 . 0 6 . 0 1 , 全 文 . W O 2 0 0 5 / 0 8 1 3 2 9 A 1 , 2 0 0 5 . 0 9 . 0 1 , 全 文 . C N 1 5 2 8 0 2 2 A , 2 0 0 4 . 0 9 . 0 8 , 全 文 . U S 7 0 5 8 1 0 5 B 2 , 2 0 0 6 . 0 6 . 0 6 , 全 文 . C N 1 3 4 7 1 7 8 A , 2 0 0 2 . 0 5 . 0 1 , 全 文 . ( 5 4 ) 发 明 名 称 半 导 体 光 电 器 件 ( 5 7 ) 摘 要 本 发 明 提 供 一 种 半 导 体 光 电 器 件 ， 包 括 ： 有 源 层 ， 包 括 量 子 阱 和 势 垒 层 ； 上 和 下 波 导 层 ， 分 别 形 成 在 所 述 有 源 层 之 上 和 之 下 ； 上 和 下 包 层 ， 分 别 形 成 在 所 述 上 和 下 波 导 层 之 上 和 之 下 ； 衬 底 ， 支 承 所 得 堆 叠 结 构 ； 上 光 学 约 束 层 O C L ， 设 置 在 所 述 有 源 层 与 所 述 上 和 下 波 导 层 之 间 且 具 有 小 于 所 述 上 波 导 层 的 能 隙 且 等 于 或 大 于 所 述 势 垒 层 的 能 隙 的 能 隙 ； 以 及 下 O C L ， 具 有 小 于 所 述 下 波 导 层 的 能 隙 且 等 于 或 小 于 所 述 势 垒 层 的 能 隙 的 能 隙 。 ( 3 0 ) 优 先 权 数 据 ( 5 1 ) I n t . C l . ( 5 6 ) 对 比 文 件 审 查 员 张 辉 ( 1 9 ) 中 华 人 民 共 和 国 国 家 知 识 产 权 局 ( 1 2 ) 发 明 专 利 权利要求书 1 页 说明书 4 页 附图 4 页
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