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掩模图案生成方法

( 1 0 ) 授 权 公 告 号 C N 1 0 1 0 5 9 6 4 9 B ( 4 5 ) 授 权 公 告 日 2 0 1 0 . 0 5 . 2 6 C N 1 0 1 0 5 9 6 4 9 B *CN101059649B* ( 2 1 ) 申 请 号 2 0 0 7 1 0 0 9 6 1 6 8 . 7 ( 2 2 ) 申 请 日 2 0 0 7 . 0 4 . 1 8 1 1 4 8 2 7 / 0 6 2 0 0 6 . 0 4 . 1 8 J P G 0 3 F 1 / 0 0 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) ( 7 3 ) 专 利 权 人 索 尼 株 式 会 社 地 址 日 本 东 京 都 ( 7 2 ) 发 明 人 小 川 和 久 中 村 聪 美 中 山 幸 一 ( 7 4 ) 专 利 代 理 机 构 北 京 市 柳 沈 律 师 事 务 所 1 1 1 0 5 代 理 人 陶 凤 波 C N 1 6 8 8 9 3 2 A , 2 0 0 5 . 1 0 . 2 6 , 全 文 . U S 2 0 0 3 / 0 0 9 6 1 7 7 A 1 , 2 0 0 3 . 0 5 . 2 2 , 全 文 . U S 2 0 0 2 / 0 1 7 7 0 5 1 A 1 , 2 0 0 2 . 1 1 . 2 8 , 全 文 . ( 5 4 ) 发 明 名 称 掩 模 图 案 生 成 方 法 ( 5 7 ) 摘 要 本 发 明 公 开 了 一 种 生 成 在 莱 文 森 相 转 移 掩 模 中 形 成 的 掩 模 图 案 的 掩 模 图 案 生 成 方 法 ， 当 导 电 层 通 过 光 刻 构 图 时 ， 所 述 莱 文 森 相 转 移 掩 模 用 于 曝 光 在 将 被 构 图 为 所 述 导 电 层 的 制 备 膜 上 形 成 的 光 刻 胶 膜 的 曝 光 工 艺 ， 所 述 导 电 层 包 括 在 晶 片 上 于 第 一 方 向 上 延 伸 的 有 源 区 上 形 成 从 而 在 正 交 于 所 述 第 一 方 向 的 第 二 方 向 上 延 伸 的 栅 极 ， 所 述 掩 模 生 成 方 法 包 括 ： 移 相 器 设 置 步 骤 ； 移 相 器 图 案 图 像 获 得 步 骤 ； 修 整 图 案 图 像 获 得 步 骤 ； 和 移 相 器 延 伸 步 骤 。 ( 3 0 ) 优 先 权 数 据 ( 5 1 ) I n t . C l . ( 5 6 ) 对 比 文 件 审 查 员 张 中 青 ( 1 9 ) 中 华 人 民 共 和 国 国 家 知 识 产 权 局 ( 1 2 ) 发 明 专 利 权利要求书 1 页 说明书 10 页 附图 10 页
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