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硒化铟铜基光伏器件及其制造方法

( 1 0 ) 授 权 公 告 号 C N 1 0 1 4 7 3 4 4 7 B ( 4 5 ) 授 权 公 告 日 2 0 1 2 . 0 5 . 0 9 C N 1 0 1 4 7 3 4 4 7 B *CN101473447B* ( 2 1 ) 申 请 号 2 0 0 7 8 0 0 2 2 3 2 7 . 7 ( 2 2 ) 申 请 日 2 0 0 7 . 0 4 . 1 8 6 0 / 7 9 2 , 7 7 0 2 0 0 6 . 0 4 . 1 8 U S 6 0 / 7 9 2 , 8 5 2 2 0 0 6 . 0 4 . 1 8 U S H 0 1 L 3 1 / 0 3 2 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) C 0 8 L 8 3 / 0 4 ( 2 0 0 6 . 0 1 ) H 0 1 L 3 1 / 0 7 2 ( 2 0 1 2 . 0 1 ) H 0 1 L 3 1 / 0 7 4 9 ( 2 0 1 2 . 0 1 ) ( 7 3 ) 专 利 权 人 道 康 宁 公 司 地 址 美 国 密 歇 根 州 专 利 权 人 I T N 能 量 系 统 公 司 道 康 宁 东 丽 株 式 会 社 ( 7 2 ) 发 明 人 T · D · 巴 纳 德 Y · 哈 尔 莫 图 H · 哈 坦 纳 卡 M · 伊 藤 D · E · 卡 佐 里 斯 M · 苏 托 B · 朱 L · M · 伍 兹 J · H · 阿 姆 斯 特 龙 戈 R · M · 里 贝 林 ( 7 4 ) 专 利 代 理 机 构 北 京 纪 凯 知 识 产 权 代 理 有 限 公 司 1 1 2 4 5 代 理 人 赵 蓉 民 陈 建 芳 W O 0 3 0 8 1 6 8 4 A 1 , 2 0 0 3 . 1 0 . 0 2 , 全 文 . E P 0 0 7 8 5 4 1 A 2 , 1 9 8 3 . 0 5 . 1 1 , 全 文 . W O 2 0 0 5 0 5 2 0 7 8 A 1 , 2 0 0 5 . 0 6 . 0 9 , 全 文 . C N 1 2 1 3 1 8 6 A , 1 9 9 9 . 0 4 . 0 7 , 全 文 . ( 5 4 ) 发 明 名 称 硒 化 铟 铜 基 光 伏 器 件 及 其 制 造 方 法 ( 5 7 ) 摘 要 本 发 明 涉 及 硒 化 铟 铜 基 光 伏 器 件 及 其 制 造 方 法 。 硒 化 铟 铜 ( C I S ) 基 光 伏 器 件 包 括 C I S 基 太 阳 能 吸 收 层 ， 所 述 C I S 基 太 阳 能 吸 收 层 包 括 铜 、 铟 和 硒 。 C I S 基 光 伏 器 件 进 一 步 包 括 衬 底 ， 所 述 衬 底 包 括 由 硅 氧 烷 组 合 物 形 成 的 硅 氧 烷 层 、 以 及 金 属 箔 层 。 由 于 硅 氧 烷 层 和 金 属 箔 层 的 存 在 ， 衬 底 既 是 挠 性 的 ， 又 足 以 抵 抗 超 过 5 0 0 ℃ 的 退 火 温 度 ， 以 获 得 器 件 的 最 大 效 率 。 ( 3 0 ) 优 先 权 数 据 ( 8 5 ) P C T 申 请 进 入 国 家 阶 段 日 2 0 0 8 . 1 2 . 1 5 ( 8 6 ) P C T 申 请 的 申 请 数 据 P C T / U S 2 0 0 7 / 0 0 9 3 5 9 2 0 0 7 . 0 4 . 1 8 ( 8 7 ) P C T 申 请 的 公 布 数 据 W O 2 0 0 7 / 1 2 3 8 9 8 E N 2 0 0 7 . 1 1 . 0 1 ( 5 1 ) I n t . C l . ( 5 6 ) 对 比 文 件 审 查 员 谢 朝 方 ( 1 9 ) 中 华 人 民 共 和 国 国 家 知 识 产 权 局 ( 1 2 ) 发 明 专 利 权利要求书 2 页 说明书 28 页 附图 2 页
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